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FDB6030L_Q

描述MOSFET N-Channel PowerTrench漏极连续电流48 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.013 Ohms at 10 V配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263AB封装Reel
下降时间12 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)37 S
最小工作温度- 65 C功率耗散52 W
上升时间12 ns典型关闭延迟时间29 ns

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