| 描述 | MOSFET | 漏极连续电流 | 33 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.022 Ohms at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263AB | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 80 ns | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 50 W | 上升时间 | 102 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AL,MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AS,MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level