| 描述 | MOSFET N-Channel PowerTrench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0065 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 15 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 115 S | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 68 W | 上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AS,MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S,MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET