描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level | 漏极连续电流 | 76 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.006 Ohms at 10 V | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263AB | 封装 | Reel |
下降时间 | 31 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 70 W | 上升时间 | 11 ns |
典型关闭延迟时间 | 89 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S,MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BLS,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030L_L86Z,MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB