描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.00155 Ohms at 10 V |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel | 下降时间 | 13 ns |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 33 S | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 48 W | 上升时间 | 9 ns |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BLS,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030L_L86Z,MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030L_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7042L,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level