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FDB66N15TM

描述MOSFET 150V N-Ch MOSFET漏极连续电流66 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.036 Ohms at 10 V配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间180 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散357 W上升时间480 ns
工厂包装数量800典型关闭延迟时间65 ns

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