| 描述 | MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8.5 毫欧 @ 31A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 39nC @ 15V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 62.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDB6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S,MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB