| 描述 | MOSFET | 漏极连续电流 | 62 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0085 Ohms at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263AB | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 35 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 62.5 W | 上升时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 800 | 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S,MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level