| 描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.006 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 37 ns |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 93 W |
| 上升时间 | 10 ns | 典型关闭延迟时间 | 93 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S,MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6690S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL,MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BLS,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level