描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.0085 Ohms at 10 V |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel | 下降时间 | 14 ns |
最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 83 W |
上升时间 | 8 ns | 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AL,MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6670AS,MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB6676S_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level