| 描述 | MOSFET USE 512-FDB20AN06A0 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.02 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 16 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 43 S | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 65 W | 上升时间 | 9 ns |
| 工厂包装数量 | 800 | 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB5690,MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB5800_F085,MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB6021P,MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6021P_Q,MOSFET P-Channel PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL,MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB6030BL_Q,MOSFET N-Channel PowerTrench