| 描述 | MOSFET TO-263 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.055 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 10 ns |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 37.5 W |
| 上升时间 | 8 ns | 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB42AN15A0,MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB44N25TM,MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB52N20TM,MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB5645,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB5690,MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB