| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Ta），44A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 44A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【Fairchild Semiconductor】FDB3682,MOSFET N-CH 100V 32A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB3860,MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB390N15A,MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB4020P,MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB42AN15A0,MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB