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  • FDB8160_F085

FDB8160_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$1.755
描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 80A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs243nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds11825pF @ 15V
功率 - 最大254W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装TO-263(D2Pak)
包装带卷 (TR)

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