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FDB86135

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$3.6
描述MOSFET N-CH 100V D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 75A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs116nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds7295pF @ 25V
功率 - 最大2.4W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装带卷 (TR)

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