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  • FDB8832

FDB8832

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$1.8192
  • 1600$1.69792
  • 2400$1.61303
  • 5600$1.55238
  • 20000$1.50387
描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫欧 @ 80A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs265nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds11400pF @ 15V
功率 - 最大300W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装带卷 (TR)其它名称FDB8832TR

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