| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.3 毫欧 @ 80A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 214nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 12585pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 254W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB8860TR |
mosfet的rds(on)低至2.0m ohms，是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，这些器件还可节省线路板空间，因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且，这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准，可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称：“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860 器件，提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半，因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中，低导通电阻意味着更高的效率，因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外，飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列，以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果，包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务。这个 ...
rds(on)低至2.0m ohms，是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，这些器件还可节省线路板空间，因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且，这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准，可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称：“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860器件，提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半，因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中，低导通电阻意味着更高的效率，因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外，飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列，以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果，包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务 ...
et的rds(on)低至2.0m ohms，是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，这些器件还可节省线路板空间，因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且，这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准，可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称：“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3 m ohm fdb8860 器件，提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半，因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中，低导通电阻意味着更高的效率，因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外，飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列，以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果，包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务 ...
