描述 | MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 77 毫欧 @ 3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 634pF @ 40V |
功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDC3601N,MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612,MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612_F095,MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N,MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N_Q,MOSFET 100V NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDC365P,MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT