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FDC6321C_Q

描述MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH电阻汲极/源极 RDS(导通)0.45 Ohms / 1.1 Ohms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-6
封装Reel下降时间8 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
最小工作温度- 55 C功率耗散0.9 W
上升时间8 ns at N Channel, 9 ns at P Channel典型关闭延迟时间17 ns at N Channel, 55 ns at P Channel

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