| 描述 | MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET | 漏极连续电流 | 3 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.07 Ohms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.96 W | 上升时间 | 7 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC640P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC640P_F095,MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6420C,MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC642P_F085,MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
