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FDC6401N_Q

描述MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench漏极连续电流3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.07 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-6封装Reel
下降时间7 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散0.96 W上升时间7 ns
典型关闭延迟时间13 ns

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