| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6 | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 630 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
【Fairchild Semiconductor】FDC6432SH,MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC645N,MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC645N_F095,MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6506P,MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
【Fairchild Semiconductor】FDC653N_F095,MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC654P,MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
