| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC6506PTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC653N_F095,MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC654P,MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN,MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN_F095,MOSFET 30V 6.3A N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN,MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN_F123,MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms
