| 描述 | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | 漏极连续电流 | - 1.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.170 Ohms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 8 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.96 W | 上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC653N_F095,MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC654P,MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN,MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN_F095,MOSFET 30V 6.3A N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN,MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN_F123,MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms
