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FDC6561AN_Q

描述MOSFET N-Channel 30V电阻汲极/源极 RDS(导通)0.095 Ohms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-6
封装Reel下降时间10 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)5 S最小工作温度- 55 C
功率耗散0.9 W上升时间10 ns
典型关闭延迟时间12 ns

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