| 描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.009 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quint Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 13 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 48.4 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 3.8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC855N,MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC8601,MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC8602,MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC86244,MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC8884,MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC8886,MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
