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  • FDD068AN03L

FDD068AN03L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 35A D-PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 35A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2525pF @ 15V
功率 - 最大80W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

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