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  • FDD16AN08A0

FDD16AN08A0

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.74061
  • 5000$0.71318
  • 12500$0.68575
  • 25000$0.67478
  • 62500$0.65832
描述MOSFET N-CH 75V 50A D-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1874pF @ 25V功率 - 最大135W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252AA包装带卷 (TR)
其它名称FDD16AN08A0-NDFDD16AN08A0TR

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