| 描述 | MOSFET N-CH 200V DPAK-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 200V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1575pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 89W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDD20AN06A0,MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD20AN06A0_F085,MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD20AN06A0_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD24AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD24AN06LA0_F085,MOSFET N-CH 60V 40A TO-252