| 描述 | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.3A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 4.3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 供应商设备封装 | TO-252-4L |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD3510HTR |
