您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fdd3n40tm
  • FDD3N40TM

FDD3N40TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.22304
  • 5000$0.20866
  • 12500$0.19426
  • 25000$0.18419
  • 62500$0.17988
描述MOSFET N-CH 400V 2A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 欧姆 @ 1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 25V
功率 - 最大30W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称FDD3N40TMTR

fdd3n40tm的相关型号: