描述 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 35V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD6635TR |
【Fairchild Semiconductor】FDD6637_F085,MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6644,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD6644S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD6670A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6670AL,MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK