| 描述 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 35V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.6 毫欧 @ 14A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2370pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD6637TR |
【Fairchild Semiconductor】FDD6637_F085,MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6644,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD6644S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD6670A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6670AL,MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
