| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.2 毫欧 @ 17A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
b电路中的mosfet选择 由控制器fan5019b及3个驱动器fan5009组成的三相同步整流降压式dc/dc转换器电路如图7所示。现使用条件：vin=vcc=12v(vcc是供控制器及驱动器的工作电压)，vout=1.5v，io=65a(io即iout(max))，fsw=228khz，选择开关管及同步整流管(采用两个并联组成)。 初选快速开关管fdd6696为开关管(其qg为17nc)，同步整流管选fdd6682(其rds(on)=11.9mω)。其主要参数如表4所示。 开关管传导损耗pc(mf)计算 pc(mf)=d[(io/nmf)2+1/12(n×ir/nmf)2]×rds(on) 式中d为占空比(d=vin/vout) ；ir为纹电流(ir=1/n×io×40%）；nmf为总的开关管数；n为相数；io=iout(max)。ir计算得ir=8.66a，代入公式： ...
±5mv，每相的开关频率fsw设定为228khz。外围元器什的具体参数如表l所列。 3 重要器件的选择与布局布线规则3．1 功率mosfet的选择 在选择高端和低端功率mosfet时，主要考虑如下几个方面： (1)较低的rds(on)，应小于1omω； (2)尽可能高的导通电流： (3)额定vdds应该大于15v。 在选择低端mosfet时，rds(on)是最重要的考虑因素，因为在正常工作时，低端的mosfet导通时间较长，因而功率消耗较大。因此在本设计中．每相在低端都使用了两个fdd6682，其导通电流为75a，在vgs为10v时(正常工作状态)，rds(on)，为6．2mω，额定vdds为30v。对高端的mosfet而言，门电荷qg也是重要的考虑因素，要求其越低越好，否则会影响开关速度进而影响功耗。因此在每相高端都使用了一个fdd6696，其导通电流为50a，在vgs为lov时，rds(on)为8．0mω，额定vdds为30v，门电荷为17nc，可以完令满足没计的要求。3．2 输出电感的选择 输出电感有3个主要指标，电感量l、额定电流值irated和直流电阻rdcr，电感的额定 ...
