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  • FDD6688S

FDD6688S

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 88A D-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C88A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.1 毫欧 @ 18.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3290pF @ 15V功率 - 最大1.3W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)

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