| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 13A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1715pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
si7356dp。 fan5019b电路中的mosfet选择 由控制器fan5019b及3个驱动器fan5009组成的三相同步整流降压式dc/dc转换器电路如图7所示。现使用条件：vin=vcc=12v(vcc是供控制器及驱动器的工作电压)，vout=1.5v，io=65a(io即iout(max))，fsw=228khz，选择开关管及同步整流管(采用两个并联组成)。 初选快速开关管fdd6696为开关管(其qg为17nc)，同步整流管选fdd6682(其rds(on)=11.9mω)。其主要参数如表4所示。 开关管传导损耗pc(mf)计算 pc(mf)=d[(io/nmf)2+1/12(n×ir/nmf)2]×rds(on) 式中d为占空比(d=vin/vout) ；ir为纹电流(ir=1/n×io×40%）；nmf为总的开关管数；n为相数；io=iout(max)。ir计 ...
omω； (2)尽可能高的导通电流： (3)额定vdds应该大于15v。 在选择低端mosfet时，rds(on)是最重要的考虑因素，因为在正常工作时，低端的mosfet导通时间较长，因而功率消耗较大。因此在本设计中．每相在低端都使用了两个fdd6682，其导通电流为75a，在vgs为10v时(正常工作状态)，rds(on)，为6．2mω，额定vdds为30v。对高端的mosfet而言，门电荷qg也是重要的考虑因素，要求其越低越好，否则会影响开关速度进而影响功耗。因此在每相高端都使用了一个fdd6696，其导通电流为50a，在vgs为lov时，rds(on)为8．0mω，额定vdds为30v，门电荷为17nc，可以完令满足没计的要求。3．2 输出电感的选择 输出电感有3个主要指标，电感量l、额定电流值irated和直流电阻rdcr，电感的额定电流值是电感线圈的饱和电流或过热电流中较小的值。为使4相的输出电流总量大于等于125a，每相的输出电感额定电流应大于等于31．25a。电感量的取值与工作频率，纹波电流等因素都有一定的相关，可以根据式(1)进行计算： 式中：vcccore为输 ...
