描述 | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 10A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 870pF @ 13V |
功率 - 最大 | 3.7W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD6778ATR |
【Fairchild Semiconductor】FDD6780,MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6780A,MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N20TF,MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N20TM,MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N25TF,MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK