| 描述 | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A，6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 供应商设备封装 | TO-252-4L |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD8424HTR |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 日前推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (blu) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8) 封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 互补型40v mosfet能改进lcd设计的尺寸、成本和可靠性 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8 封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高 ...
飞兆半导体推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (blu) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8) 封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8 封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外壳温度降低12%。” fdd8424h的主要特性包括 ...
飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)日前推出互补型40vmosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。 fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(blu)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic(so8)封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mikespeed表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷(qg)增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外 ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)近日推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(blu)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8)封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷(qg)增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外壳温度降低12 ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出互补型40vmosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (blu) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8) 封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8 封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外壳温度 ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (blu) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8) 封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8 封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外壳温度降低 ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (blu) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8) 封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。 此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8 封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆 ...
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出互补型40v mosfet器件fdd8424h，采用双dpak封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。 fdd8424h专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(blu)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双soic (so8)封装的替代解决方案相比，双dpak封装fdd8424h的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，fdd8424h在单一封装中集成了一个p沟道高端mosfet和一个n沟道低端mosfet，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信和消费产品市务经理mike speed 表示：“飞兆半导体的fdd8424h使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的so8封装解决方案，双dpak封装中优化的导通阻抗rds(on)和栅极电荷 (qg) 增强了开关性能，因此能降低热耗及提高效率。而且，在驱动8个ccfl灯的背光逆变器中，fdd8424h可使外壳温度降低12% ...
