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  • FDFME3N311ZT

FDFME3N311ZT

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.2295
描述MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFETFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 1.6A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds75pF @ 15V
功率 - 最大600mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-MicroFET(1.6x1.6)
包装带卷 (TR)

“FDFME3N311ZT”电子资讯

  • 飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 全新的升压开关产品fdfme3n311zt,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30v集成式n沟道powertrench mosfet和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pf) 和总体栅极电荷 (1nc),以提升dc-dc升压设计的效率。fdfme3n311zt 采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) microfet 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型dc-dc升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36 的电路板空间。 fdfme3n311zt提供30v的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光led(实际数字取决于所选择的led和设计保护带)。白光led通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明,一般以串联方式连接,以确保每个led具有相同的正 ...

  • 飞兆升压开关FDFME3N311ZT为DC-DC设计提高效率

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 全新的升压开关产品fdfme3n311zt,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率.该器件结合了30v集成式n沟道powertrench mosfet和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pf) 和总体栅极电荷 (1nc),以提升dc-dc升压设计的效率.fdfme3n311zt 采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗.其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低.该器件在紧凑 (1.6mm×1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) microfet 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型dc-dc升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间. fdfme3n311zt提供30v的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光led(实际数字取决于所选择的led和设计保护带).白光led通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明,一般以串联方式连接,以确保每个led具有相同的正 ...

“FDFME3N311ZT”技术资料

  • 飞兆升压开关为高频步进DC-DC实现高效率

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 全新的升压开关产品fdfme3n311zt,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30v集成式n沟道powertrench? mosfet和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pf) 和总体栅极电荷 (1nc),以提升dc-dc升压设计的效率。fdfme3n311zt 采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) microfet? 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型dc-dc升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36 的电路板空间。 fdfme3n311zt提供30v的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光l ...

  • 飞兆半导体推出全新升压开关 提高转换效率

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  • 飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 全新的升压开关产品fdfme3n311zt,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30v集成式n沟道powertrench mosfet和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pf) 和总体栅极电荷 (1nc),以提升dc-dc升压设计的效率。fdfme3n311zt 采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) microfet 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型dc-dc升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间。 fdfme3n311zt提供30v的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光led(实际数字取决于所选择的led和设计保护带)。白光led通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明,一般以串联方式连接,以确保每个led具有相同的正向电 ...

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