描述 | MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET | FET 特点 | 二极管(隔离式) |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 299 毫欧 @ 1.6A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 75pF @ 15V |
功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-MicroFET(1.6x1.6) |
包装 | 带卷 (TR) |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 全新的升压开关产品fdfme3n311zt,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30v集成式n沟道powertrench mosfet和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pf) 和总体栅极电荷 (1nc),以提升dc-dc升压设计的效率。fdfme3n311zt 采用飞兆半导体专有的powertrench工艺技术,通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小,可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) microfet 薄型封装中,集成了两个分立器件,不但能够满足紧凑型dc-dc升压设计的需求,而且相比先前的升压开关产品节省36 的电路板空间。 fdfme3n311zt提供30v的击穿电压,可为手机等应用驱动多达7个或8个白光led(实际数字取决于所选择的led和设计保护带)。白光led通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明,一般以串联方式连接,以确保每个led具有相同的正 ...
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