| 描述 | MOSFET Integrated P-Channel | 漏极连续电流 | - 3.3 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.125 Ohms | 配置 | Single Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 5 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 7 ns | 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P102A,MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P102A_NL,MOSFET 20V/20V 125/200MO SO8 500A GOX, PTII
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P103,MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P103_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P103A,MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P103A_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P106A,MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P106A_Q,MOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated