| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 115 毫欧 @ 1.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 270pF @ 10V | 功率 - 最大 | 480mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDG311N-NDFDG311NTR |
【Fairchild Semiconductor】FDG312P,MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG313N,MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG313N_D87Z,MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG314P,MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG316P,MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6