描述 | INTEGRATED CIRCUIT | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA(Ta),410mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.1 欧姆 @ 410mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 2.3nC @ 4.5V,1.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V,62pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 300mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
【Fairchild Semiconductor】FDG6322C,IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6322C_D87Z,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6322C_Q,MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
【Fairchild Semiconductor】FDG6323L,IC FET LOAD SW P-CHAN SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6323L_D87Z,IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6323L_NL,电源开关 IC - 配电 LD SW 8V MAX