| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 700mA，600mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 113pF @ 10V | 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDG6332C-ND |
