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  • FDI040N06

FDI040N06

描述MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm电阻汲极/源极 RDS(导通)3.2 m Ohms at 10 V
配置Single最大工作温度+ 175 C
封装Tube下降时间24 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)169 S最小工作温度- 55 C
功率耗散231 W上升时间40 ns
工厂包装数量50典型关闭延迟时间55 ns

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