| 描述 | MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.016 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-262 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 17 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 310 W |
| 上升时间 | 30 ns | 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDI33N25TU,MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDI3632,MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI3652,MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
【Fairchild Semiconductor】FDI8441,MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI8441_F085,MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
