描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.7毫欧 @ 80A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 280nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 15000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDI8441_F085,MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDJ1027P,MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ1028N,MOSFET N-CH 20V 3.2A FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ1032C,MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ127P,MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6