| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 80A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 56 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2980 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【Fairchild Semiconductor】FDJ1027P,MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ1028N,MOSFET N-CH 20V 3.2A FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ1032C,MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75
【Fairchild Semiconductor】FDJ127P,MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
【Fairchild Semiconductor】FDJ128N,MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
【Fairchild Semiconductor】FDJ128N_F077,MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
【Fairchild Semiconductor】FDJ129P,MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
【Fairchild Semiconductor】FDJ129P_F077,MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
