| 描述 | MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V | 漏极连续电流 | - 6.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.026 Ohms | 配置 | Single Hex Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | MicroFET-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 46 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.92 W | 上升时间 | 46 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 134 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDM6296,MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMA0104,MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMA1023PZ,MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2
【Fairchild Semiconductor】FDMA1024NZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA1025P,MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2