描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 54 毫欧 @ 5A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.3nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-MicroFET(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMA1024NZTR |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm microfet mlp封装,适用于空间受限的应用,提供出色的功耗和超低rds(on) ,能大大延长电池的寿命,这些高效microfet mosfet有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。 fdma410nz为便携产品设计人员提供了业界最低的rds(on),4.5v时为23 m,采用纤细 2mm x 2mm封装,两款产品均可确保在vgs低至1.5v时达到rds(on)额定值,适用于锂离子或原电池应用。 飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术可实现非常低的rds(on)、总栅极电荷(qg) 和米勒电荷(qgd),从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的mosfet封装,其先进的microfet封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。 飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2 ...
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