您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > fdma1024nz
  • FDMA1024NZ

FDMA1024NZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.261
  • 6000$0.243
  • 15000$0.234
  • 30000$0.225
  • 75000$0.2214
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 10V
功率 - 最大700mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-MicroFET(2x2)
包装带卷 (TR)其它名称FDMA1024NZTR

“FDMA1024NZ”电子资讯

  • Fairchild推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm microfet mlp封装,适用于空间受限的应用,提供出色的功耗和超低rds(on) ,能大大延长电池的寿命,这些高效microfet mosfet有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。 fdma410nz为便携产品设计人员提供了业界最低的rds(on),4.5v时为23 m,采用纤细 2mm x 2mm封装,两款产品均可确保在vgs低至1.5v时达到rds(on)额定值,适用于锂离子或原电池应用。 飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术可实现非常低的rds(on)、总栅极电荷(qg) 和米勒电荷(qgd),从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的mosfet封装,其先进的microfet封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。 飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2 ...

fdma1024nz的相关型号: