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  • FDMA1032CZ

FDMA1032CZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2215
  • 6000$0.20721
  • 15000$0.19292
  • 30000$0.18291
  • 75000$0.17863
描述IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A,3.1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 10V功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-MicroFET(2x2)包装带卷 (TR)
其它名称FDMA1032CZTR

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